CN119486249A 改善sti上不同厚度栅氧交界处形貌的方法 (上海华力集成电路制造有限公司).pdfVIP

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  • 2026-09-12 发布于重庆
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CN119486249A 改善sti上不同厚度栅氧交界处形貌的方法 (上海华力集成电路制造有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119486249A

(43)申请公布日2025.02.18

(21)申请号202411589178.4

(22)申请日2024.11.07

(71)申请人上海华力集成电路制造有限公司

地址201203上海市浦东新区康桥东路298

号1幢1060室

(72)发明人任思宇顾珍钱亚峰张磊

陈昊瑜

(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限

公司31211

专利代理师刘昌荣

(51)Int.Cl.

H10D84/03(2025.01)

权利要求书1页说明书4页附图3页

(54)发明名称

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