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N沟道 60V (漏-源) MOSFET，ESD 保护.PDFVIP

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  • 2026-09-14 发布于浙江
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N沟道 60V (漏-源) MOSFET，ESD 保护.PDF

    ME2N7002DL-G

    N-Channel60V(D-S)MOSFET,ESDProtection

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    GENERALDESCRIPTIONFEATURES

    TheME2N7002DL-GistheN-Channellogicenhancementmode●RDS(ON)≦2.8Ω@VGS=10V

    powerfieldeffecttransistorsareproducedusinghighcelldensity,●RDS(ON)≦3.8Ω@VGS=4.5V

    DMOStrenchtechnology.Thishighdensityprocessisespecially●ESDProtectionHBM≧2KV

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