CN119486177A 一种屏蔽栅沟槽型mosfet器件及其制作方法 （中晶新源(上海)半导体有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119486177A

(43)申请公布日2025.02.18

(21)申请号202411576432.7

(22)申请日2024.11.06

(71)申请人中晶新源（上海）半导体有限公司

地址201306上海市浦东新区中国（上海）

自由贸易试验区临港新片区海洋一路

333号1号楼、2号楼

(72)发明人刘科科钟义栋董云

(51)Int.Cl.

H10D30/01(2025.01)

H10D30/66(2025.01)

H10D64/27(2025.01)

权利要求书1页说明书5页附图8页

(54)发明名称

一种