反胶束法制备c轴垂直取向FePt纳米颗粒阵列的研究与应用.docxVIP

反胶束法制备c轴垂直取向FePt纳米颗粒阵列的研究与应用

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，大数据、人工智能、物联网等新兴领域对数据存储的需求呈现爆发式增长，超高密度磁存储技术已成为当今信息存储领域的研究热点和关键技术。传统的水平磁记录方式由于超顺磁效应的限制，已经接近其理论极限，难以满足日益增长的存储需求。为了实现超高密度磁存储的目标，垂直磁记录（PMR）、热辅助磁记录（HAMR）和图案化介质（BPM）等新型记录方案应运而生，其中BPM凭借其零过渡区噪声和超高的存储密度理论预期（1TB/in2），被认为是最具发展潜力的方向之一。

BPM由多个独立的图案化磁存储单元有序排列而成，每个单元仅由一个颗粒构成，可以存储1bit的信息位。为了实现BPM的存储系统，对存储介质提出了严格的要求：首先，每个单元都要具备很高的单轴各向异性，并且易磁化轴（c轴）要平行或垂直于基片表面；其次，单元的磁翻转场分布要窄，即组成存储单元的颗粒粒径分布足够均匀，单分散性良好；再次，要确保二维有序阵列的低缺陷率，以简化寻位伺服系统的设计和提高信息记录的可靠性。

LlO相FePt纳米颗粒具有极高的磁晶各向异性能（6.6-10×10?erg/cm3），可以在几个纳米的尺度范围内克服超顺磁性，表现出优异的稳定性，因此被认为是作为BPM材料的最佳选择之一。然而，如何