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2025-2026年安徽省人教版高中物理选修第三册第6单元课后练习题

一、单项选择题（本大题共10小题，每小题2分，共20分）

1.在《2025-2026年安徽省人教版高中物理选修第三册第6单元》中，关于霍尔效应的描述，下列说法正确的是（）

A.霍尔电场的方向与磁感应强度的方向始终相同

B.霍尔电压的产生是由于自由电荷在洛伦兹力作用下发生偏转

C.霍尔效应只能发生在金属导体中，半导体中无法观察到

D.霍尔元件的灵敏度与磁感应强度成正比，与载流子浓度成反比

参考答案：B

解析：霍尔电场的方向与洛伦兹力方向相反，故A错误；霍尔电压的产生机制是自由电荷在洛伦兹力作用下向一侧偏转，导致两侧电荷积累形成电场，故B正确；霍尔效应在半导体和金属中均可观察到，但半导体更显著，故C错误；霍尔元件的灵敏度与磁感应强度成正比，与载流子浓度成正比，故D错误。

2.根据第6单元内容，当一块半导体样品通入电流I，置于磁感应强度为B的匀强磁场中时，若测得霍尔电压为U，则下列关于该半导体样品载流子浓度的表达式正确的是（）

A.n=U/(IB)

B.n=U/(qBl)

C.n=IB/Uq

D.n=Uq/(IBl)

参考答案：B

解析：霍尔电压公式为U=qBlv/d，其中