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- 2026-09-13 发布于北京
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1999年4月
FDN335N
TM
N沟道2.5V规格PowerTrenchMOSFET
概述特性
•1.7
安,20
伏。R
这款N沟道2.5V规格MOSFET采用飞兆先进的=0.07Ω@
V=4.5
V
DS(ON)GS
PowerTrench工艺制造,该工艺经过特殊优化,可最RDS(ON)=0.100Ω
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