GBT 47601-2026 电光晶体-核心要点PPT.pptxVIP

GB/T47601-2026电光晶体

目录

02

技术要求

01

概述

03

测试方法

04

应用指南

05

质量控制

06

实施与维护

概述

01

定义与范围

材料界定

标准适用于铌酸锂(LiNbO₃)、钽酸锂(LiTaO₃)、磷酸二氘钾(DKDP)等具有显著电光效应的晶体材料及其加工制品。

技术覆盖

包含晶体尺寸公差、光学均匀性、激光损伤阈值等17项关键技术指标，涵盖从原材料到成品的全链条质量控制。

应用领域

明确适用于激光雷达调制器、量子密钥分发器件、高能激光系统等光电子设备的核心组件。

排除范围

不涉及非电光特性晶体（如纯光学晶体）及已完成器件封装的终端产品。

主要术语解释

电光效应

定义晶体在外加电场作用下折射率发生变化的物理现象，包含线性（普克尔斯效应）和非线性（克尔效应）两类。

消光比

表征晶体对偏振光调制能力的指标，定义为最大透射光强与最小透射光强的比值，直接影响光通信系统的信噪比。

半波电压(Vπ)

量化晶体电光性能的关键参数，指使光波产生π相位差所需的外加电压，数值越低代表电光转换效率越高。

技术要求

02

晶体性能指标

透射光谱范围

标准规定了晶体在紫外至红外波段的透射率要求，确保材料在目标工作波长（如1550nm通信波段）具有足够的光学透过性，需用分光光度计进行全波段扫描验证。

半波电压

明确规定晶体在特定波长下实现π相位调制所需的外加电压值，该指标与电