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创维制程工程师笔试题

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共30分）

1.在半导体中，P型材料主要是由哪种杂质元素掺入本征硅中形成的？

A.硼(B)

B.铟(In)

C.铝(Al)

D.铜(Cu)

2.MOSFET晶体管的输出特性曲线中，描绘漏源电流ID随漏源电压VDS变化的关系（当栅源电压VGS恒定时）的是哪一条曲线？

A.转移特性曲线

B.输出特性曲线

C.输入特性曲线

D.击穿特性曲线

3.在半导体制造中，用于形成器件隔离或沟道区域的工艺是？

A.氧化工艺

B.光刻工艺

C.掺杂工艺

D.薄膜沉积工艺

4.光刻工艺中，以下哪个步骤是将掩模版上的图形转移到光刻胶上？

A.涂胶

B.曝光

C.显影

D.刻蚀

5.在金属-氧化物-半导体(MOS)结构中，起到隔离作用，防止相邻器件相互干扰的是？

A.氧化层

B.多晶硅栅

C.阱区隔离

D.N型掺杂层

6.离子注入工艺中，用于控制注入离子束能量和流量的部件是？

A.靶材

B.基板台

C.离子源

D.