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笔记本电源管理器件技术手册.pdfVIP

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  • 2026-09-14 发布于四川
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笔记本电源管理器件技术手册.pdf

    1996年2月

    N

    NDS9400A

    单P沟道增强型场效应晶体管

    概述特点

    这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用National的专有高单‑3.4A，‑30V。R=0.13@

    V=‑10V。度单元

    DS(ON)GS

    元密度DMOS技术制造。这种极度的工艺特别设计用于最DS(ON)

    设计实现极低的R。具有高功率和电流处理能力，在

    小化导通电阻，卓越的

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