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半导体制造部笔试题

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题只有一个正确答案，请将正确选项字母填入括号内）

1.在半导体中，P型材料主要是由什么元素掺入本征硅中形成的？

A.硼(B)磷(P)C.铟(In)D.铯(Cs)

2.PN结形成的内置电场主要是由什么驱动的？

A.外加电压B.内部载流子扩散与复合不平衡C.离子注入D.晶体缺陷

3.光刻工艺中，用于保护未曝光区域的光刻胶类型是？

A.正胶B.负胶C.正负胶均可D.无机胶

4.刻蚀工艺的主要目的是？

A.在硅片表面沉积薄膜B.形成电路图形C.掺杂半导体D.制造PN结

5.离子注入工艺中，用于加速离子进入硅片的是？

A.电磁场B.高温C.高压D.光激发

6.半导体器件制造中，扩散工艺主要目的是？

A.清洗晶片表面B.沉积绝缘层C.形成特定掺杂浓度的区域D.刻蚀图形

7.在薄膜沉积工艺中，化学气相沉积（CVD）的主要优点不包括？

A.沉积速率快B.薄膜均匀性好C.设备成本相对较低D.可沉积多种材料

8.以下哪种设备通常用于测量薄膜的厚度？

A.拉曼光谱仪B.椭偏仪C.四