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半导体笔试题目含答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题只有一个正确选项，请将正确选项字母填入括号内。每题2分，共30分）

1.在半导体中，空穴被认为是（）。

A.带负电的载流子

B.带正电的载流子

C.中性粒子

D.晶格振动

2.本征硅中，当温度升高时，其导电率（）。

A.降低

B.升高

C.不变

D.先升高后降低

3.PN结加反向电压时，其空间电荷区（）。

A.变窄

B.变宽

C.不变

D.趋于零

4.MOSFET工作时，控制其导电状态的主要电场是（）。

A.发射结电场

B.集电结电场

C.栅极电场

D.源极电场

5.在BJT中，发射结和集电结分别工作在（）状态时，晶体管处于放大状态。

A.正向偏置、反向偏置

B.反向偏置、正向偏置

C.正向偏置、正向偏置

D.反向偏置、反向偏置

6.对于增强型NMOSFET，当栅极电压VGS低于阈值电压Vth时，（）。

A.漏极电流ID为最大值

B.漏极电流ID为零

C.漏极和源极之间相当于断路

D.器件处