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- 2026-09-15 发布于福建
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GB/T47857-2026空间环境宇航用电子元器件单粒子烧毁试验方法
目录
02
试验原理
01
标准概述
03
试验设备要求
04
试验执行流程
05
结果分析与报告
06
标准应用与维护
标准概述
01
标准适用于功率金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、高电子迁移率晶体管(HEMT)等宇航用电子元器件,针对其单粒子烧毁(SEB)效应提供地面模拟试验方法。
适用范围与背景
功率器件覆盖
随着我国深空探测和商业航天发展,宇航元器件面临更复杂的空间辐射环境,SEB作为破坏性最强的单粒子效应之一,亟需标准化试验方法以保障可靠性。
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