CN119451181A 半导体外延结构及其制备方法 (湖北九峰山实验室).pdfVIP

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  • 2026-09-15 发布于重庆
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CN119451181A 半导体外延结构及其制备方法 (湖北九峰山实验室).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119451181A

(43)申请公布日2025.02.14

(21)申请号202411547374.5

(22)申请日2024.11.01

(71)申请人湖北九峰山实验室

地址430000湖北省武汉市东湖新技术开

发区九龙湖街9号

(72)发明人吴阳阳郭飞袁俊王宽

成志杰陈伟

(74)专利代理机构北京超凡宏宇知识产权代理

有限公司11463

专利代理师荣颖佳

(51)Int.Cl.

H10D30/66(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

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