CN119465080A 区域性低缺陷密度化合物半导体薄膜及其制备方法与应用 （上海丰正创展半导体有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119465080A

(43)申请公布日2025.02.18

(21)申请号202411556358.2

(22)申请日2024.11.04

(71)申请人上海丰正创展半导体有限公司

地址200120上海市浦东新区中国（上海）

自由贸易试验区张衡路200号2幢3层

(72)发明人刘箭

(74)专利代理机构上海硕力知识产权代理事务

所(特殊普通合伙)31251

专利代理师周梦娜

(51)Int.Cl.

C23C16/44(2006.01)

C23C16/34(2006.01)

C23C16/30(2006.01)

C23C16/40(2006.01)