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2026年中微期中考试试题及答案

一、填空题（每题2分，共20分）

1.半导体的禁带宽度通常在______之间。

2.PN结在正向偏置时，其耗尽层宽度会______。

3.晶体管的放大作用是指其输入端的小信号变化能够引起输出端的大信号变化，这主要是利用了______效应。

4.MOSFET的输出特性曲线可以分为三个区，分别是______、______和______。

5.在数字电路中，TTL电路和CMOS电路是两种常见的逻辑门电路，其中______电路的功耗较低。

6.双极结型晶体管（BJT）的电流放大系数β通常在______之间。

7.MOSFET的阈值电压（Vth）是指使晶体管开始导通所需的______电压。

8.在放大电路中，反馈是指将输出信号的一部分或全部通过某种方式送回到______的过程。

9.集成电路（IC）按照集成度可以分为小规模、中规模、大规模和超大规模，其中大规模集成电路（LSI）通常指包含______个以上晶体管的集成电路。

10.在数字电路设计中，时序逻辑电路和组合逻辑电路是两种基本的电路类型，其中时序逻辑电路的输出不仅取决于当前的输入，还取决于______。

二、判断题（每题2分，共20分）

1.半导体材料在室温下的导电性主要是由电子和空穴共同决定的。（）

2.PN结的反向偏置会导致其耗尽层宽度增加。（