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微电子工艺习题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分）

1.目前集成电路制造中最主要的衬底材料是：

A.GaAsB.InPC.SiD.Ge

2.下列哪种工艺方法常用于在硅片上生长热氧化二氧化硅层？

A.CVDB.PVDC.热氧化D.外延生长

3.光刻工艺中，曝光光源波长越短，能够分辨的最小特征尺寸：

A.越大B.越小C.不变D.不确定

4.离子注入相比热扩散掺杂的主要优点不包括：

A.掺杂剂量精确控制B.低温工艺C.横向扩散小D.设备成本低廉

5.在硅中形成P型区常用的掺杂元素是：

A.磷(P)B.硼(B)C.砷(As)D.锑(Sb)

6.光刻胶经过曝光后，在显影液中溶解的是：

A.正性光刻胶的受光部分B.正性光刻胶的未受光部分C.负性光刻胶的受光部分D.负性光刻胶的未受光部分

7.下列属于物理气相沉积(PVD)技术的是：

A.热蒸发B.等离子体增强化学气相沉积(PECVD)C.低压化学气相沉积(LPCV