CN119480794A 接触结构的制作方法 (上海新微半导体有限公司).pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约1.7万字
  • 约 16页
  • 2026-09-15 发布于重庆
  • 举报

CN119480794A 接触结构的制作方法 (上海新微半导体有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119480794A

(43)申请公布日2025.02.18

(21)申请号202411568006.9

(22)申请日2024.11.05

(71)申请人上海新微半导体有限公司

地址200120上海市浦东新区中国(上海)

自由贸易试验区临港新片区飞渡路

2020号

(72)发明人张安邦

(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通

合伙)31219

专利代理师余明伟

(51)Int.Cl.

H01L21/768(2006.01)

H01L23/48(2006.01)

权利要求书2页说明书9

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档