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ys-t1835-2026高纯钽磁控溅射环

目录

02

技术要求

01

标准概述

03

测试方法

04

质量检验

05

应用指南

06

标准管理

标准概述

01

背景与制定目的

国际贸易对接

为消除国内外高纯钽靶材技术壁垒，本标准参考ASTMF560、JISH2151等国际规范，建立与国际接轨的测试方法和质量评价体系。

技术升级需求

高纯钽磁控溅射环在5nm以下制程芯片制造中的应用，要求标准化其杂质控制、晶粒尺寸等关键参数，以保障薄膜电学性能和界面稳定性。

行业需求驱动

随着电子薄膜制造技术向高精度、高性能方向发展，传统钽溅射环标准无法满足半导体、显示面板等领域对材料纯度和溅射均匀性的严苛要求，亟需建立统一技术规范。

核心应用领域

适用于半导体集成电路（如栅极材料）、平板显示（OLED阳极层）、光学镀膜（红外截止滤光片）等电子薄膜制备场景。

产品形态限定

规范针对外径285～386mm、厚度3.0～4.5mm的环状钽靶材，其他形状靶材需参照相关标准执行。

纯度等级覆盖

明确ta-3n5/4n/4n5三个纯度级别，对应99.95%～99.995%的钽含量要求，满足不同工艺节点的需求。

全流程管控

从原材料提纯、熔铸加工到成品检测、包装运输的全生命周期技术要求，确保产品批次一致性。

适用范围与对象

主要术语定义

磁控溅射环

专指通过磁场约束等离子体、采用环状几何结构的高纯钽溅射靶