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二维MSe（M=Ga，Ge）器件的光电输运特性及应用研究.pdf

二维MSe（M=Ga，Ge）器件的光电输运特性及应用研究.pdf

    摘要

    随着万物互联时代的到来，基于硅基芯片技术的各种设备面临着新的挑战，究其

    原因主要是硅基芯片技术在持续摩尔定律进步方面遭遇了物理作用和性能退化的限

    制。因此，人们通过各种手段包括寻找新的沟道材料和合适的器件结构去延续摩尔定

    律。在这个过程中，二维材料由于其独特的结构和电子特性，已成为集成电路、柔性

    器件和类脑计算领域最有潜力的候选者。在众多二维材料中，GaSe和GeSe材料由于具

    有合适的带隙、较高的载流子迁移率和良好的光吸收等特性，成为了现代电学和光学

    器件受欢迎的沟道材料。因此，研究Ga

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