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NDH8503N双沟道场效应晶体管技术手册.pdfVIP

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  • 2026-09-17 发布于北京
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NDH8503N双沟道场效应晶体管技术手册.pdf

    N1996年9月

    初步的

    NDH8503N

    双N沟道增强型场效应晶体管

    一般描述特性

    TM

    SuperSOT‑8

    N沟道增强型3.8

    A，30

    V。R

    =0。035@V=10VDS(ON)

    GS

    功率场效应晶体管采用R=0.05@

    V=4。5

    V。

    DS(ON)GS

    国民技术专有的高单元密度DMOSTM

    专有SuperS

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