模拟电子技术期末考试速记列表(函授完整版).docxVIP

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  • 2026-09-18 发布于山西
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模拟电子技术期末考试速记列表(函授完整版).docx

模拟电子技术期末考试速记列表(函授完整版)

速记说明:专为函授期末统考整理,舍弃偏难推导,全部为名词解释、填空、判断、简答、计算题必考核心考点,零基础可直接背诵得分。

第一章半导体基础器件(必考基础)

1.半导体特性

三大特性:热敏性、光敏性、掺杂性(核心)

本征半导体:纯净无杂质,载流子为自由电子+空穴,温度升高导电能力变强。

2.杂质半导体

N型半导体:掺五价元素(磷),电子为多数载流子,空穴少数。

P型半导体:掺三价元素(硼),空穴为多数载流子,电子少数。

3.PN结(重中之重)

形成:P、N结合,扩散运动形成空间电荷区(耗尽层)。

单向导电性(必考)

正向偏置:P正N负,耗尽

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