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- 2026-09-18 发布于山西
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模拟电子技术期末考试速记列表(函授完整版)
速记说明:专为函授期末统考整理,舍弃偏难推导,全部为名词解释、填空、判断、简答、计算题必考核心考点,零基础可直接背诵得分。
第一章半导体基础器件(必考基础)
1.半导体特性
三大特性:热敏性、光敏性、掺杂性(核心)
本征半导体:纯净无杂质,载流子为自由电子+空穴,温度升高导电能力变强。
2.杂质半导体
N型半导体:掺五价元素(磷),电子为多数载流子,空穴少数。
P型半导体:掺三价元素(硼),空穴为多数载流子,电子少数。
3.PN结(重中之重)
形成:P、N结合,扩散运动形成空间电荷区(耗尽层)。
单向导电性(必考)
正向偏置:P正N负,耗尽
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