SJT 11972-2025 压接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）平板陶瓷管壳标准立项发展报告.docx

压接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）平板陶瓷管壳标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:FlatCeramicPackagesforPress-PackInsulatedGateBipolarTransistors(IGBT)

摘要

随着我国智能电网、轨道交通、新能源汽车及工业变频等领域的快速发展，压接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）作为核心功率半导体器件，其封装可靠性直接关系到整个电力电子系统的安全稳定运行。平板陶瓷管壳是压接式IGBT的关键封装部件，长期依赖进口，亟需建立自主的标准体系。本标准（SJ/T11972-2025）由行业标准-电子发布，于2025年5月9日发布，2025年8月1日正式实施，归口分类为其他半导体分立器件。本标准规定了压接式IGBT平板陶瓷管壳的技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存等内容，适用于压接式IGBT用平板陶瓷管壳的设计、制造与验收。本标准的制定填补了国内压接式IGBT平板陶瓷管壳领域行业标准的空白，对提升我国功率半导体封装产业链自主可控能力、推动电力电子装备国产化具有重要的指导意义和实用价值。

关键词

中文关键词：压接式绝缘栅双极晶体管；平板陶瓷管壳；功率半导体封装；行业标准；电力电子器件；陶瓷金属化；气密性；可靠性

EnglishKeywords:Press