《GB-T 43536.3-2026三维集成电路 第3部分：硅通孔模型及测试方法》解读.pptxVIP

《GB-T43536.3-2026三维集成电路第3部分：硅通孔模型及测试方法》解读

目录

02

硅通孔模型原理

01

标准背景与范围

03

测试方法详解

04

关键参数与指标

05

实施与应用指南

06

总结与资源

标准背景与范围

01

标准制定背景介绍

国际标准对接需求

参考IEC/SC47D等国际组织对三维集成的技术框架，结合中国产业链特点制定本土化标准，推动国内技术与国际接轨。

行业协同与质量管控需求

国内外产业链在TSV设计、制造环节存在技术差异，本标准旨在统一建模与测试方法，减少厂商间技术壁垒，提升产品兼容性与良率。

三维集成电路技术发展需求

随着半导体工艺节点逼近物理极限，三维集成电路通过垂直堆叠芯片实现更高集成度与性能，硅通孔（TSV）作为关键互连结构亟需标准化规范以保障技术可靠性。

技术覆盖范围

目标用户群体

适用于采用硅通孔技术的三维集成电路，包括但不限于存储器堆叠、逻辑-存储异构集成等应用场景的TSV结构设计与验证。

面向集成电路设计企业、晶圆代工厂、封装测试厂商及科研机构，提供从模型构建到测试验证的全流程技术依据。

适用范围与目标定义

标准化核心目标

规范TSV的电学模型（如寄生参数提取）、热力学模型（如热膨胀系数）及机械应力模型，确保多物理场仿真准确性。

测试方法边界

明确直流参数（电阻、漏电流）、高频特性（阻抗、串扰）及可靠性测试（疲劳寿命、热循环）的