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2025-2026年电子电路设计实训指导书习题

一、单选题（总共10题，每题2分，共20分）

1.在《2025-2026年电子电路设计实训指导书》第3单元中，关于放大电路的频率响应特性，以下哪项描述是正确的？

A.放大电路的带宽仅由晶体管的截止频率决定，与负载电阻无关

B.共射放大电路的通频带通常比共基放大电路更宽

C.在高频区，放大电路的增益主要受密勒效应影响，导致增益显著下降

D.低频区增益下降的主要原因是耦合电容和旁路电容的容抗增大

2.根据实训指导书第5单元内容，设计一个低噪声放大器时，若要求在1MHz频率下实现20dB增益，且噪声系数不高于2dB，以下哪种晶体管类型最合适？

A.2N3904（NPN，噪声系数约3dB）

B.BF245（PNP，噪声系数约1.5dB）

C.JFET（结型场效应管，噪声系数约0.5dB）

D.BFR96（CMOS，噪声系数约2.2dB）

3.在《2025-2026年电子电路设计实训指导书》第7单元中，关于运算放大器的理想特性，以下哪项是错误的？

A.理想运算放大器的输入阻抗为无穷大，输出阻抗为零

B.理想运算放大器的开环增益为无穷大，闭环增益由外部反馈网络决定

C.理想运算放大器的输入失调电压和输入偏置电流均为零