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刻蚀试题及答案

一、选择题（共10题，每题2分，总分20分）

1.在半导体制造工艺中，刻蚀工艺的主要目的是什么？

A.去除晶圆表面的氧化层

B.在晶圆上沉积金属薄膜

C.将光刻胶图形转移到衬底材料上

D.对晶圆进行掺杂

答案：C

2.下列哪种刻蚀方式属于各向同性刻蚀？

A.反应离子刻蚀（RIE）

B.深反应离子刻蚀（DRIE）

C.湿法化学刻蚀

D.电感耦合等离子体刻蚀（ICP）

答案：C

3.在反应离子刻蚀（RIE）中，决定刻蚀各向异性的关键因素是？

A.气体流量的大小

B.等离子体密度的高低

C.离子轰击表面的能量

D.背压的高低

答案：C

4.刻蚀选择比是指？

A.刻蚀速率与气体流量的比值

B.被刻蚀材料与掩膜材料的刻蚀速率之比

C.刻蚀时间与厚度的比值

D.刻蚀深度与宽度的比值

答案：B

5.下列关于ICP（电感耦合等离子体）刻蚀的描述，正确的是？

A.等离子体产生区与刻蚀区完全分离

B.离子能量与离子密度耦合紧密，无法独立调节

C.刻蚀速率通常低于RIE

D.不需要自偏压来加速离子

答案：A

6.刻蚀均匀性通常用以下哪个指标来衡量？

A.nm/min

B.%

C.ppm

D.mbar

答案：B

7.湿法刻蚀的主要缺点是？

A.刻蚀速率慢

B.选择比低

C.容易产生钻蚀和底切

D.设备昂贵

答案：C

8.