CN119521737A 延伸漏极mos器件及制造方法、芯片 （北京智芯微电子科技有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119521737A

(43)申请公布日2025.02.25

(21)申请号202411532103.2

(22)申请日2024.10.30

(71)申请人北京智芯微电子科技有限公司

地址100192北京市海淀区西小口路66号

中关村东升科技园A区3号楼

(72)发明人安铁雷陈燕宁刘芳余山

王凯吴波郝幸雨李君建

连亚军郁文刘倩倩

(74)专利代理机构北京润平知识产权代理有限

公司11283

专利代理师封瑛

(51)Int.Cl.

H10D62/10(2025.01)

H10D84/85(2025.01)