单片机原理及应用 课件1.4.-5 单片机IO与负载的接口电路.pptVIP

  • 0
  • 0
  • 约小于1千字
  • 约 7页
  • 2026-09-21 发布于山东
  • 举报

单片机原理及应用 课件1.4.-5 单片机IO与负载的接口电路.ppt

单片机I/O口与负载的接口电路1.I/O口的负载能力P0口(通用I/O模式):漏极开路输出。每位可驱动8个TTL电平,但驱动拉电流负载时必须外接上拉电阻。P0口(总线模式):推挽输出。驱动能力强,无需上拉电阻,但不能作通用I/O。P1、P2、P3口:内部已带上拉电阻。每位可驱动4个TTL电平,可直接驱动OC/OD电路。电平兼容:P0、P1、P2、P3口电平与CMOS和TTL电平兼容。驱动晶体管基极时,必须在I/O口与基极间串接限流电阻。2.低电平驱动方式-“灌电流”工作原理:I/O口输出低电平(0)来驱动负载。电流从Vcc经负载流入I/O口,最终到GND。I/O口吸收电流,即“灌电流”。优点:单片机I/O口的灌电流能力通常强于拉电流,是首选的驱动方式。2.STC89C52灌电流参数与计算最大灌电流(数据手册):P0口:12mA(每I/O口)P1/P2/P3口:6mA(每I/O口)输出低电平电压:不是0V,存在压降。灌电流10mA时:约0.4V~0.5V灌电流1mA时:约0.1V~0.2V限流电阻R计算公式(以驱动LED为例)LED正向压降I/O口输出0时的低电平电压电源电压期望的LED工作电流(需小于最大灌电流)3.高电平驱动方式-“拉电流”工作原理:I/O口输出高电平1来驱动

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档