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硅材料题库试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、单项选择题（每题2分，共20题，40分）

1.硅的晶体结构属于（）

A.六方密堆积

B.金刚石结构

C.面心立方

D.体心立方

2.硅的禁带宽度在室温下约为（）

A.0.67eV

B.1.12eV

C.1.43eV

D.2.26eV

3.在硅中掺入少量硼元素后，硅的导电类型为（）

A.P型半导体

B.N型半导体

C.本征半导体

D.绝缘体

4.下列制备高纯硅的方法中，目前电子级硅（纯度≥99.999999999%）的主流方法是（）

A.冶金法

B.Siemens法

C.酸洗法

D.物理气相沉积法

5.直拉法（CZ法）制备单晶硅时，控制晶体生长方向的关键工具是（）

A.石英坩埚

B.加热电阻

C.籽晶

D.真空系统

6.硅太阳能电池的理论转换效率极限约为（）

A.15%

B.29%

C.50%

D.70%

7.硅的熔点是（