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《应用物理》第42卷（2003年）第1168–

1172页

第1部分，第3期，2003年3月

#2003

应

用物理学会

利用发光显微镜对低温工艺的多晶硅薄膜晶体管现象的分析与分类

Satoshi

INOUE,

Mutsumi

KIMURA

和

Tatsuya

SHIMODA技术平台，精工爱普生株式会社，藤岛281号，

藤岛町，须坂郡，长野县392-0293，(收到2002年3月22日；修订稿收到2002年10月1日；接受2002年11月20日)

对采用425℃以下低温工艺的多晶硅薄膜晶体管（低温处理多晶硅TFT）的现象进行了研究。通过发光显

微镜技术对自加热和热载流子引起的类型进行了分类分析。自加热被认为源于金属氧化物（MOS）

界面和沟道多晶硅层中Si‑H键的断裂以及悬挂键的再生。另一方面，热载流子则被认为源自MOS界面及TFT漏

极附近沟道多晶硅层的损伤。当栅极应力电压等于阈值电压时，由于沟道中漏极附近的电场和电子密度同时增加，导

致最大。发光光谱测量结果证实了在此应力条件下高能载流子的产生。[DO