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数模电考研知识点

一、半导体器件基础

1.半导体物理基础

-本征半导体：纯净半导体中电子和空穴浓度相等。

-杂质半导体：通过掺入杂质改变导电性能，分为N型和P型半导体。

-PN结：P型和N型半导体接触形成的内建电场和空间电荷区。

2.二极管

-伏安特性：正向特性、反向特性、反向击穿特性。

-指数模型：理想模型、恒压降模型、折线模型。

-主要参数：最大整流电流、最大反向工作电压、反向电流、最高工作频率。

3.三极管

-放大作用：电流放大系数β、电压放大系数α。

-工作状态：截止区、放大区、饱和区。

-模型：混合π模型、小信号模型。

-主要参数：电流放大系数、特征频率、极间电容。

二、模拟电路基础

1.放大电路

-基本放大电路：共射极放大电路、共基极放大电路、共集电极放大电路。

-负反馈放大电路：电压串联负反馈、电流并联负反馈、电压并联负反馈、电流串联负反馈。

-多级放大电路：级间耦合方式、多级放大电路的动态参数。

2.集成运算放大器

-理想运算放大器：开环增益无穷大、输入阻抗无穷大、输出阻抗为零。

-线性应用：反相比例运算、同相比例运算、加法运算、减法运算、积分运算、微分运算。

-非线性应用：比较器、电压跟随器。

3.功率放大电路

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