CMOS工艺与MOSFET特性探讨.pdfVIP

1.为什么早期的铝栅MOSFET不是自对准结构，能否用铝栅实现自对准结构。先进

的CMOS工艺为什么采用n+硅栅NMOS和p+硅栅PMOS，若NMOS用p+硅栅，

PMOS用n+硅栅是否可以？

2.当温度升高，MOS的导通电流和亚阈电流如何变化？在高温下工作速度快还

是低温下速度快，为什么？

3.利用反相器构成环振，利用作业题中的mymos模型，3级环振是否可以起振，如果

想让该环振起振可以调节哪些工艺条件（阈值电压，电源电压）？改变这些条件对

振荡周期有何影响？增加环振的级数为何容易起振？1级环振是否可以起振？

4.如果把CMOS反相器中的NMOS和PMOS颠倒连接，电路功能如何，并分析其直

流和瞬态特性如何，同反相器相比有何缺点。

5.如图1所示，M1和M2两管串联,VBVG-VTVA，1)如果改变VA和VB，两

管工作状态可能都为线性区吗？可能都为饱和区吗？2）如果两管阈值电压不等，

可以求出Keff吗？3）如果考虑衬偏效应，流过器件的电流同没有衬偏效应时候相

比如何变化？