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GB/T 48164.2-2026半导体器件　碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)可靠性试验方法　第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法.pdf

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  • 2026-09-23 发布于四川
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  •   |  2026-08-28 颁布
  •   |  2027-03-01 实施

GB/T 48164.2-2026半导体器件　碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)可靠性试验方法　第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法.pdf

    ICS31.080.01

    CCSL40

    中华人民共和国国家标准

    /—/:

    GBT48164.22026IEC63275-22022

    半导体器件碳化硅金属氧化物半导体场

    ()

    效应晶体管SiCMOSFET可靠性试验方法

    :

    第部分体二极管工作引起双极退化的

    2

    试验方法

    —

    SemiconductordevicesReliabilittestmethodforsiliconcarbidemetal-oxide

    y

    ()—:

    semiconducto

    GB/T 48164.2-2026半导体器件　碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)可靠性试验方法　第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法.pdf 原文免费试下载

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