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微电子技术全真模拟试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、单项选择题（共10题，每题2分）

1.室温（300K）下，本征硅的载流子浓度约为（）。

A.1.5×101?cm?3

B.1.5×101?cm?3

C.1.5×101?cm?3

D.1.5×102?cm?3

2.CMOS反相器输入为高电平（VDD）时，其工作状态为（）。

A.PMOS导通，NMOS截止

B.NMOS导通，PMOS截止

C.两者均导通

D.两者均截止

3.光刻工艺中，实现图形转移的核心步骤是（）。

A.涂胶

B.曝光

C.显影

D.刻蚀

4.MOSFET的阈值电压（V_T）与下列哪项因素无关？（）

A.栅氧化层厚度

B.衬底掺杂浓度

C.沟道长度

D.功函数差

5.抑制MOSFET短沟道效应的技术不包括（）。

A.沟道工程

B.轻掺杂漏极（LDD）

C.减小栅氧化层厚度

D.多晶硅栅工程

6.PN结反向偏置时，其电流主要来源于（）。

A.多子扩散电流