CN119384031A 射频开关的制作方法 (上海华虹宏力半导体制造有限公司).pdfVIP

  • 2
  • 0
  • 约1.04万字
  • 约 11页
  • 2026-09-25 发布于重庆
  • 举报

CN119384031A 射频开关的制作方法 (上海华虹宏力半导体制造有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119384031A

(43)申请公布日2025.01.28

(21)申请号202411514434.3

(22)申请日2024.10.28

(71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司

地

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档