CN119355478A 一种硅基nmos内部缺陷检测方法、系统、装置及介质 （天津工业大学）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119355478A

(43)申请公布日2025.01.24

(21)申请号202411529951.8

(22)申请日2024.10.30

(71)申请人天津工业大学

地址300380天津市西青区宾水西道399号

(72)发明人赵丽霞郑鑫源王凯刘芳

(74)专利代理机构北京名拓专利代理有限公司

16151

专利代理师林霞

(51)Int.Cl.

G01R31/26(2020.01)

H01L21/66(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图3页

(54)发明名称

一种硅基NMOS内部缺陷检测方法