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- 2026-09-26 发布于北京
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2012年1月
_
FDB035AN06A0
F085
N沟道PowerTrench®
MOSFET
60V,
80A,
3.5mΩ
特性应用领域
=10=80•
•rDS(ON)
=3.2mΩ
(典型值),
VGS
V,
ID
电机/车身负载控制•防抱死制动系统
A•总栅极电荷
Q
g(tot)
=95nC
(典型值),
VGS
=10(ABS)•动力总成管理•燃油喷射系统•
V•低米勒电荷•低
Qrr
体二极管•UIS能力(DC‑DC转换器和离线式UPS•分布式电源架
和重复脉冲)•符合
AEC
Q101
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