60V N沟道MOSFET技术手册.pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约15.46万字
  • 约 22页
  • 2026-09-26 发布于北京
  • 举报

2012年1月

_

FDB035AN06A0

F085

N沟道PowerTrench®

MOSFET

60V,

80A,

3.5mΩ

特性应用领域

=10=80•

•rDS(ON)

=3.2mΩ

(典型值),

VGS

V,

ID

电机/车身负载控制•防抱死制动系统

A•总栅极电荷

Q

g(tot)

=95nC

(典型值),

VGS

=10(ABS)•动力总成管理•燃油喷射系统•

V•低米勒电荷•低

Qrr

体二极管•UIS能力(DC‑DC转换器和离线式UPS•分布式电源架

和重复脉冲)•符合

AEC

Q101

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档