基于GaN FET器件的低电压高 电流DC-DC开关电源设计.docx

PAGE4

基于GaNFET器件的低电压高电流DC-DC开关电源设计

【摘要】随着科技的发展，作为电力电子设备中重要一环的DC/DC开关电源越来越受到人们的重视。目前的DC/DC开关电源主要是使用传统Si基金属氧化物半导体场效应管作为开关器件，受材料性能的限制，开关电源的能量转换效率功率密度都较低，并且在高频领域下更为明显。这无法满足人们对DC/DC转换器的高转化效率、高开关频率、高功率密度的发展需求。而第三代半导体材料GaN具有带隙宽度大、饱和电子漂移速度高、临界击穿电场大等优点，高频、高温、高功率密度的场合下具有令人瞩目的应用前景，并且还有效减小储能元件以及磁场元件