诺丁汉超大规模集成电路设计习题解答.pdfVIP

表格

{

边框‑折叠:

折叠;

}

表格,

th,

td

{

边框:

1px

实线

#000;

}

诺丁汉大学

电气与学院

超大规模集成电路设计

(H63VLS)

参

‑

2007/8

分数

Q1

a)

5

6)

2

3

3

层:

器件

P‑WELL

多晶硅

顺序:

1

2

3

颜色:

绿

棕

红

最小长度晶体管

=5

3

13

13

22.(a)

毫米

图中尺寸

=5x0.04μ米

=0.2μ米

根据设计规则，最小多晶硅间距

3(b)

6/6

Q

3(a)

=2λ∴λ=0.1μ米

参见图示

p+层绘制位置

(2λ来自器件)

任选以下三条(参

4

9/9

5

见图示)

dre1:

金属线宽应为

3λ

dre2:

P阱到外部器件间距应为

5λ

dre3:

P阱到器件间距应为

3λ

dre4:

环绕接触孔的金属应为

λ

参见

标号晶体管及NMOS/PMOS标注

T1‑T5

PM