CN119403153A 一种屏蔽栅沟槽型功率器件及制备方法 （杭州富芯半导体有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119403153A

(43)申请公布日2025.02.07

(21)申请号202411513760.2

(22)申请日2024.10.28

(71)申请人杭州富芯半导体有限公司

地址311418浙江省杭州市富阳区灵桥镇

滨富大道135号（滨富合作区）

(72)发明人兰总金陈国帅李秀柱李猛

(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公

司31100

专利代理师陶玉龙

(51)Int.Cl.

H10D30/01(2025.01)

H10D30/60(2025.01)

H10D64/01(2025.01)

H10D64/27(2025.01)