SJT 12173-2026《自旋转移矩磁存储器测试方法》标准化发展报告.docx

SJ/T12173-2026《自旋转移矩磁存储器测试方法》标准化发展报告

StandardizationDevelopmentReport:TestMethodsforSpin-TransferTorqueMagneticMemory

摘要

为应对新型非易失性存储器产业化进程中测试方法缺失的迫切需求，加快推动自旋转移矩磁存储器（STT-MRAM）技术在消费电子、工业控制、汽车电子及航空航天等领域的规模化应用，电子行业标准SJ/T12173-2026《自旋转移矩磁存储器测试方法》正式立项并完成制定。该标准由全国半导体器件标准化技术委员会归口管理，规定了自旋转移矩磁存储器芯片