SJT 11972-2025 压接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）平板陶瓷管壳标准立项发展报告.docx

压接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）平板陶瓷管壳标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:Press-PackInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)FlatCeramicEnclosure

摘要

关键词：压接式IGBT；平板陶瓷管壳；行业标准；标准化；功率器件封装；可靠性

一、引言

1.1研究背景

绝缘栅双极晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT）是集双极性晶体管（BJT）高电流密度与金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）电压驱动特性于一体的复