GBT 45721.1-2025 半导体器件 应力迁移试验 第1部分：铜应力迁移试验标准立项发展报告.docxVIP

半导体器件应力迁移试验第1部分：铜应力迁移试验标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:SemiconductorDevices—StressMigrationTest—Part1:CopperStressMigrationTest

摘要

随着集成电路制造工艺进入纳米尺度时代，铜互连技术因其优异的导电性能和抗电迁移特性，已全面替代铝互连成为主流互连方案。然而，铜互连结构在热应力作用下产生的应力迁移现象，已成为影响半导体器件可靠性的关键失效机理之一。建立科学、统一、可重复的铜应力迁移试验方法标准，对于准确评估器件可靠性、指导工艺优化和保障产品质量具有重要的现实意义。本标准（GB/T45721.1-2025）规定了半导体器件中铜互连结构的应力迁移试验方法，涵盖试验原理、测试结构设计、试验条件、测试程序、数据处理及失效判定准则等技术内容。本标准的制定填补了国内在铜应力迁移试验领域标准化的空白，为半导体器件可靠性评价提供了统一的技术规范，有助于提升我国半导体产业的质量控制水平和国际竞争力。本标准由国家标准主管部门于2025年5月30日发布，将于2025年9月1日正式实施。

关键词：半导体器件；铜互连；应力迁移；可靠性试验；标准化；失效机理；热应力

Keywords:Semiconductordevices;