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2026年半导体芯片制造工(芯片制造工艺)自测试题

单项选择题（每题1.5分，共30分）

1.2026年全球主流晶圆厂3nm逻辑制程量产采用的核心器件结构为（）

A.平面型金属氧化物半导体场效应管（PlanarMOSFET）

B.鳍式场效应管（FinFET）

C.多桥通道环绕栅极场效应管（MBCFET/GAA）

D.全耗尽绝缘硅器件（FD-SOI）

正确答案：C

2.当前导入2nm制程试产的高数值孔径极紫外（High-NAEUV）光刻系统的核心参数为（）

A.数值孔径0.33，单次曝光分辨率13nm

B.数值孔径0.55，单次曝光分辨率8nm

C.数值孔径0.75，单次曝光分辨率5nm

D.数值孔径0.42，单次曝光分辨率10nm

正确答案：B

3.6英寸SiC功率器件制造过程中，铝离子掺杂的核心工艺环节高温离子注入的典型温度区间为（），可有效减少晶格损伤、提升杂质激活率。

A.25℃（室温）

B.100-200℃

C.500-600℃

D.1200℃以上

正确答案：C

4.铜互连工艺中，TaN/Ta双层扩散阻挡层的核心作用是（）

A.提升铜金属层的导电率，降低互连电阻

B.阻挡铜原子向硅衬底和层间介质扩散，避免器件漏电和可靠性失效

C.降低层间介质的介电常数，减少信号串扰

D.提升铜层与介质层的结合力，避免键合分层

正确