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N沟道增强型MOSFET APM3009N特性与应用.pdfVIP

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  • 2026-09-30 发布于北京
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N沟道增强型MOSFET APM3009N特性与应用.pdf

    APM3009N

    N沟道增强型MOSFET

    特性引脚描述

    •30V/70A，RDS(ON)=7mΩ(典型值)

    @

    VGS

    =10V

    RDS(ON)=11mΩ(典型值)

    @

    VGS=4.5V

    •密度先进单元设计，实现极低导通电

    •

    阻

    RDS(ON)

    •可靠且坚固耐用

    •

    •TO‑220、TO‑252

    和

    TO‑263

    封装123

    •

    GDS

    应用领域

    TO‑220、TO‑252和TO‑263封装俯视图

    •台式计算机或DC/DC转换器中的电源管理。

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