CN119004269A 用于mosfet制备的栅极氧化层稳定性监测方法 (浙江广芯微电子有限公司).pdfVIP

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  • 2026-09-29 发布于重庆
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CN119004269A 用于mosfet制备的栅极氧化层稳定性监测方法 (浙江广芯微电子有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119004269A

(43)申请公布日2024.11.22

(21)申请号202411480544.2

(22)申请日2024.10.23

(71)申请人浙江广芯微电子有限公司

地址323000浙江省丽水市莲都区南明山

街道七百秧街122号

(72)发明人谢刚徐显修

(74)专利代理机构镇江至睿专利代理事务所

(普通合伙)32529

专利代理师王恒静

(51)Int.Cl.

G06F18/2415(2023.01)

G06F18/22(2023.01)

G06F18/214(2023.01)

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