GBT 47239.8-2026 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第8部分：柔性电阻存储器延展性、柔韧性和稳定性测试方法 标准立项发展报告.docxVIP

半导体器件柔性可拉伸半导体器件第8部分：柔性电阻存储器延展性、柔韧性和稳定性测试方法标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:Semiconductordevices—Flexibleandstretchablesemiconductordevices—Part8:Testmethodforstretchability,flexibilityandstabilityofflexibleresistivememory

摘要

随着柔性电子、可穿戴设备、电子皮肤、植入式医疗器件和物联网终端的快速发展，柔性可拉伸半导体器件成为集成电路与新型显示、智能传感交叉融合的重要方向。柔性电阻存储器（RRAM）具有非易失、低功耗、高速、CMOS工艺兼容及可低温制备等优势，是柔性存储与神经形态计算的关键器件之一。然而，其在拉伸、弯曲、扭转及温湿度等环境下易发生阻变层裂纹、电极界面失效和电学性能漂移，亟需统一的测试方法评价其延展性、柔韧性和稳定性。GB/T47239.8-2026《半导体器件柔性可拉伸半导体器件第8部分：柔性电阻存储器延展性、柔韧性和稳定性测试方法》规定了柔性电阻存储器相关术语、样品制备、测试设备、环境条件、延展性测试、柔韧性测试、稳定性测试、数据处理和报告要求。该标准状态为未实施，实施日期为20