CN119018848A 一种基于悬臂梁-中心双质量块结构的soi高温mems压阻式压力传感器的制备方法 (无锡中微晶园电子有限公司).pdfVIP

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  • 2026-10-01 发布于重庆
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CN119018848A 一种基于悬臂梁-中心双质量块结构的soi高温mems压阻式压力传感器的制备方法 (无锡中微晶园电子有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119018848A

(43)申请公布日2024.11.26

(21)申请号202411485673.0

(22)申请日2024.10.23

(71)申请人无锡中微晶园电子有限公司

地址214000江苏省无锡市新吴区信息产

业科技园A座二层203室

(72)发明人杨杰王涛崔祯王梓阳

张春阳张辉张可可孙建洁

吴建伟

(74)专利代理机构无锡派尔特知识产权代理事

务所(普通合伙)32340

专利代理师杨立秋

(51)Int.Cl.

B81C1/00(2006.01)

权利要

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