二次离子质谱深度剖析试验规范.docVIP

二次离子质谱深度剖析试验规范

1范围

本规范规定了二次离子质谱（SecondaryIonMassSpectrometry，简称SIMS）深度剖析试验的术语定义、试验原理、仪器要求、试样制备、试验流程、数据处理、结果报告及安全防护要求。本规范适用于固体材料表面及亚表面元素分布、同位素组成、杂质浓度深度剖面分析，涵盖半导体材料、薄膜涂层、地质矿物、生物医用材料等领域的SIMS深度剖析试验。本规范不适用于挥发性强、热稳定性差的试样分析，此类试样需经特殊前处理后参照附录要求执行。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件；凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T20176表面化学分析二次离子质谱用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度GB/T22462表面化学分析深度剖析溅射速率的测定方法ISO14237表面化学分析二次离子质谱静态二次离子质谱信息格式ISO23812表面化学分析深度剖析用多层膜测量深度分辨率

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。3.1二次离子质谱深度剖析（SIMSdepthprofiling）通过一次离子束持续轰击试样表面，逐层剥离材料，同时检测不同溅射深度下产生的二次离子质量和强度，获得元素或化合物浓度随深度分布的分析过程