0.5um DPTM混合信号工艺概要.pdfVIP

标题：0.5um

DPTM混合信号工艺大纲版本号：9G11

1.0

标题：

0.5um

DPTM混合信号工艺大纲。

2.0

目的：

本文档为设计工程师了必要的信息。

3.0

范围：

本流程大纲用于FAB1

6S05DPTM‑STXXXX工艺基准和FAB2

M5023M02XXXX工艺基准。

4.0

参考资料：

NA.

5.0

定义：无。

6.0

责任：无。

7.0

内容：

7.1

工艺描述：0.5um

技术，双多晶三金属，P型衬底，双阱，多晶硅化物栅

极，5V

操作电压工艺。

注意：本文档中的所有内容参考。有效的详细设计信息请参阅各个

文档。

7.20.5um

DPTM

混合信号工艺大纲：

7.2.1工艺特性：

(1)

6S05DPTM

‑‑‑‑‑

6”

0.5um

双阱双多晶三金属

(2)

CZ

P

10015~25Ω•cm

(3)

20

掩膜工艺

(18

光刻掩

模)

7.2.2

掩膜顺序：

掩模名称工艺层