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半导体存储器件结构与性能试题解析.pdf

半导体存储器件结构与性能试题解析.pdf

    半导体存储器件结构与性能试题及答案

    半导体存储器件结构与性能试卷

    一、选择题（每题2分，共40分）

    1.下列存储器件中，属于易失性存储器的是（）。

    A.NANDFlash

    作需要额外刷新电路Flash存储器中浮栅FloatingGate的主要作用是A控制晶体管的源极漏极电流B存储电子电荷以改变阈值电压C实现单元之间的隔离D提高读写速度下列性能参数中衡量存储器速度的最直接指标是A存储密度B功耗C存取时间Acce

    B.NORFlash

    C.DRAM

    D.MRA

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